ALD 和 CVD 是有助于在基板上沉积薄膜的薄膜沉积技术。两种技术之间的主要区别在于它们沉积薄膜的方式。ALD 和 CVD 之间的主要区别在于原子层沉积 (ALD) 一次沉积一个原子层的薄膜，而 CVD 可以沉积厚度范围更广的薄膜。
